光伏技術(shù) 降低本錢是戰(zhàn)略方向

晶體硅光伏技術(shù)占據(jù)市場的主要份額。全世界裝置的所有太陽能陣列中，約87%由晶體硅構(gòu)成。但當(dāng)前晶體硅光伏技術(shù)的利息過于高貴，需要不時(shí)減少第一代光伏電池—晶體硅光伏電池的硅片厚度。雖然過去幾年中，硅片平均厚度已從300350微米變?yōu)?50微米左右，但尚未進(jìn)入市場可承受的范圍。

與晶體硅電池相比，第二代光伏電池—薄膜光伏電池的效率較低，大多數(shù)的轉(zhuǎn)化效率為5%～10%。此外，薄膜太陽能電池不夠穩(wěn)定，資料會(huì)因流露于太陽光下而變質(zhì)。但是薄膜太陽能電池所需要的原材料要比晶體硅電池少，且不那么昂貴。褚君浩預(yù)測，2012年，晶體硅光伏電池設(shè)備所占比例將從目前的87%跌落到75%，而其余的25%將由薄膜基占據(jù)。

褚君浩還提到第三代新概念太陽能電池技術(shù)—染料敏化太陽能電池(DSSCDSSC用染料分子來吸收入射光，比晶體硅電池便宜，但效率比前兩者都低，而且也存在穩(wěn)定性問題。中國科學(xué)院孟慶波博士指出，DSSC一大優(yōu)點(diǎn)是較容易生產(chǎn)。中國，研究人員正在考察DSSC中使用的激進(jìn)電解質(zhì)資料碘化鋰是否可以用更便宜的碘化鋁來代替，以進(jìn)一步降低本錢。

對(duì)于地球是否能提供足夠的資料以滿足大規(guī)模太陽能發(fā)電的需要，參與第一屆CS3研討會(huì)的英國巴斯大學(xué)的勞里·彼得博士認(rèn)為，化學(xué)家們需要重新審視過去的工作，采用更適于長期、規(guī)模化應(yīng)用的新資料來進(jìn)行替代實(shí)驗(yàn)。

具有半導(dǎo)體性質(zhì)，是極為重要的優(yōu)良半導(dǎo)體材料。

多晶硅是生產(chǎn)單晶硅的直接原料，是當(dāng)代人工智能、自動(dòng)控制、信息處理、光電轉(zhuǎn)換等半導(dǎo)體器件的電子信息基礎(chǔ)材料;被稱為“微電子大廈的基石”。

當(dāng)前，晶體硅材料(包括多晶硅和單晶硅)是最主要的光伏材料，其市場占有率在90%以上,而且在今后相當(dāng)長的一段時(shí)期也依然是太陽能電池的主流材料。多晶硅材料的生產(chǎn)技術(shù)長期以來掌握在美、日、德等3個(gè)國家7個(gè)公司的10家工廠手中，形成技術(shù)封鎖、市場壟斷的狀況。

目前國際上多晶硅生產(chǎn)主要的傳統(tǒng)工藝有：改良西門子法、硅烷法和流化床法。其中改良西門子工藝生產(chǎn)的多晶硅的產(chǎn)能約占世界總產(chǎn)能的80%，短期內(nèi)產(chǎn)業(yè)化技術(shù)壟斷封鎖的局面不會(huì)改變。